[চিত্র] চিত্রে দেখানো বর্তনীতে একটি [গণিত] উৎস, [গণিত] রোধ এবং সমান্তরালে যুক্ত দুটি ডায়োড আছে—একটি সিলিকন (Si, [গণিত] ) ও একটি জার্মেনিয়াম (Ge, [গণিত] )। ধরা হলো ডায়োড দুটি একই দিকেতে গ্রাউন্ডের দিকে ফরোয়ার্ড বায়াসে যুক্ত। মোট তড়িৎ প্রবাহ [গণিত] কত হবে? যেখানে [গণিত] হচ্ছে অভ্যন্তরীণ প্রাচীর বিভব ভোল্টেজ। (In the circuit, a [গণিত] source feeds a [গণিত] resistor then two parallel diodes [গণিত] ground: Si with [গণিত] and Ge with [গণিত] . What is the total current [গণিত] ? Where [গণিত] is Internal barrier potential)
ক. [গণিত]
খ. [গণিত]
গ. [গণিত]
ঘ. [গণিত]
উত্তর: [গণিত]
ব্যাখ্যা: যেহেতু ডায়োড দুটি সমান্তরালে আছে তাই দুই তারের উভয় পাশের বিভিব পার্থক্য একই হবে, এবং যেহেতু Ge এর প্রাচীর বিভব কম তাই সেটি আগে ফরওয়ার্ড বায়াসে কাজ করবে, এতে লুপের ভোল্টেজ 0.3V এ লক হয়ে যাবে। Si ডায়োডে তখন যথেষ্ট ফরোয়ার্ড বায়াস নেই, তাই কার্যত অফ। মোট ধারা যাবে উৎস থেকে রোধ হয়ে Ge ডায়োডে: [গণিত]
Admission Admission Model Test ভার্সিটি বিজ্ঞান - পূর্ণাঙ্গ মডেল টেস্ট ০২ MCQ — Prosthuti প্রশ্নব্যাংক
Admission · Admission Model Test · ভার্সিটি বিজ্ঞান - পূর্ণাঙ্গ মডেল টেস্ট ০২ · MCQ
চিত্রে দেখানো বর্তনীতে একটি উৎস, রোধ এবং সমান্তরালে যুক্ত দুটি ডায়োড আছে—একটি সিলিকন (Si, ) ও একটি জার্মেনিয়াম (Ge, )। ধরা হলো ডায়োড দুটি একই দিকেতে গ্রাউন্ডের দিকে ফরোয়ার্ড বায়াসে যুক্ত। মোট তড়িৎ প্রবাহ কত হবে? যেখানে হচ্ছে অভ্যন্তরীণ প্রাচীর বিভব ভোল্টেজ।
(In the circuit, a source feeds a resistor then two parallel diodes ground: Si with and Ge with . What is the total current ? Where is Internal barrier potential)
- ক.
- খ.
- গ.
- ঘ.
উত্তর