B-মৌলের সর্বশেষ ইলেকট্রনের জন্য চারটি কোয়ান্টাম সংখ্যা মান দেখাও ।
উত্তর: B মৌলের ইলেকট্রন বিন্যাস- B → [Ar] 3d14s2 সর্বশেষ ইলেকট্রন 3d1 কারণ আউফবাউ নীতি অনুযায়ী 4s অরবিটাল 3d অরবিটালের আগে ইলেকট্রন পূর্ণ করবে । 3d এর প্রধান কোয়ান্টাম সংখ্যা, n = 3 সহকারী কোয়ান্টাম সংখ্যা, l = 2 [∴ অরবিটাল d] ম্যাগনেটিক কোয়ান্টাম সংখ্যা, m = -2 [∵ m = ±l 0 সহ -l থেকে +l পর্যন্ত স্পিন কোয়ান্টাম সংখ্যা, [গণিত] (1 টি ইলেকট্রন 3d1)
HSC Chemistry 1st Paper Chapter 2: গুণগত রসায়ন CQ — Prosthuti প্রশ্নব্যাংক
HSC · Chemistry 1st Paper · Chapter 2: গুণগত রসায়ন · সৃজনশীল
B-মৌলের সর্বশেষ ইলেকট্রনের জন্য চারটি কোয়ান্টাম সংখ্যা মান দেখাও ।
উদ্দীপক
A → [Ar] 3d104s1
B → [Ar] 3d14s2
Dinajpur · 2021
উত্তর
গ্যাসীয় অবস্থায় কোনো মৌলের 1 মোল পরমানুর প্রতিটি বিভিন্ন পরমানুর সর্ববহিঃস্থ স্তরে অসীম দূরত্ব থেকে একটি করে 1 মোল ইলেকট্রন সংযোগ করে এক মোল ঋনাত্বক আয়নে পরিণত করলে যে পরিমাণ শক্তি বিমুক্ত হয় তাকে ঐ মৌলের ইলেকট্রন আসক্তি বলে ।
উত্তর
রাসায়নিক সাম্যবস্থা একটি গতিশীল অবস্থা, স্থিতাবস্তা নয় । একটি উভমুখী বিক্রিয়া কখনো শেষ হয় না, বরং এক সময় সম্মুখমুখী ও পশ্চাৎমুখী বিক্রিয়ার হার সমান হয়ে তা সাম্যবস্তায় পৌছাঁয়, এ অবস্থায় বিক্রিয়া বন্ধ হয় না, বরং উভয় বিক্রিয়া সমান হারে চলতে থাকে । উদাহরণ স্বরূপ, আবদ্বপাত্রে H ও I এর বিক্রিয়ায় HI উৎপন্ন হয় । বিক্রিয়াটি উভমুখী এবং এক সময় সাম্যবস্থায় পৌছাঁয় । তখন ট্রেসার হিসেবে অল্প পরিমাণে তেজস্ক্রিয় আয়োডিন ব্যবহার করলে সাম্যবস্থায় পরিবর্তন হয় না । কিন্তু HI এর কিছু আয়োডিন তেজস্ক্রিয় হয় । অর্থাৎ কিছু পরিমাণ HI (তেজস্ক্রিয়) উৎপন্ন হয়েছে এবং অতেজস্ক্রিয় HI বিয়োজিত হয়েছে । অতএব, রাসায়নিক সাম্যবস্থায় একটি গতিশীল অবস্থা ।
উত্তর
B মৌলের ইলেকট্রন বিন্যাস-
B → [Ar] 3d14s2
সর্বশেষ ইলেকট্রন 3d1 কারণ আউফবাউ নীতি অনুযায়ী 4s অরবিটাল 3d অরবিটালের আগে ইলেকট্রন পূর্ণ করবে ।
3d এর প্রধান কোয়ান্টাম সংখ্যা, n = 3
সহকারী কোয়ান্টাম সংখ্যা, l = 2 [∴ অরবিটাল d]
ম্যাগনেটিক কোয়ান্টাম সংখ্যা, m = -2
[∵ m = ±l {0 সহ -l থেকে +l পর্যন্ত}
স্পিন কোয়ান্টাম সংখ্যা, (1 টি ইলেকট্রন 3d1)
উত্তর
আউফবাউ নীতি হলো :- পরমানুতে ইলেকট্রনসমূহ বিভিন্ন অরবিটাল তাদের শক্তির উচ্চক্রম অনুসারে প্রবেশ করে । অর্থাৎ ইলেকট্রনসহ প্রথমে নিম্নশক্তির অরবিটাল র্পূণ করে এরপর ক্রমান্বয়ে উচ্চশক্তির অরবিটাল স্থান গ্রহণ করে পরমানুর ইলেকট্রন বিন্যাস সম্পন্ন করে । এর কারণ হলো নিম্ন শক্তিযুক্ত ইলেকট্রন বিন্যাস অধিক স্থিতিশীল ।
আউফবাউ নীতিতে অরবিটাল সমূহের (n+1) এর মান ব্যবহার করে শক্তি গণনা করা হয় । অরবিটাল সমূহের শক্তির ক্রম বৃদ্ধি নিম্নরূপ
1s, 2s, 2p, 3s, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d,
অর্থাৎ আউফবাউ নীতি অনুসারে এই ধারাবাহিকতা অনুযায়ী অরবিটাল র্পূণ করে মৌলের ইলেকট্রন বিন্যাস হবে ।
A মৌলের ইলেকট্রন বিন্যাস:
A → [Ar] 3d104s1
3d অরবিটালের (n+1) = 3+2 = 5
4s অরবিটালের (n+1) = 4+0 = 5
আউফবাউ নীতি অনুযায়ী যেহেতু 4s অরবিটালের শক্তি 3d অরবিটালের থেকে কম তাই ইলেকট্রনের আগে 4s অরবিটালে প্রবেশ করা উচিত । কিন্তু A মৌলের 3d অরবিটাল ইলেকট্রনর্পূণ হলেও 4s অরবিটাল অর্ধপূর্ণ যা আউফবাউ নীতির ব্যতিক্রম।
সমশক্তিসম্পন্ন অরবিটালসমূহ অর্ধপূর্ণ বা সম্পূর্ণরূপে ইলেকট্রন দ্বারা দখলকৃত হলে সে ইলেকট্রন বিন্যাস সুস্থিতি অর্জন করে। অর্থাৎ np1, np6, np5, np10 এবং nf14 ইলেকট্রন বিন্যাস অরবিটালের প্রতিসমতার কারণে সুস্থিতি লাভ করে। এর ফলে আউফবাউ নীতি অনুযায়ী d9s2 এর পরিবর্তে d10s1 ইলেকট্রন বিন্যাস ঘটে A মৌলের মত। সুতরাং, A মৌলের ইলেকট্রন বিন্যাস আউফবাউ নীতির ব্যতিক্রম।