Pt,

$$\frac{1}{2}$$

H 2 (g)/H + (aq) || Cu 2+ (aq)/Cu(s). E ° Cu 2+ (aq)/Cu(s) = + 0 × 34 V কোষটির জন্য ইএমএফ এর মান কোনটি?

1.ম্যাগনেসিয়াম ধাতুর তৈরি পাত্রে ZnCl 2 দ্রবণ রাখলে গঠিত কোষটির emf কত হবে? [প্রমাণ তড়িদদ্বার বিভব হলো যথাক্রমে E ° Zn/Zn 2+ = + 0.76 V ও E ° Mg/Mg 2+ = + 2.37 V]

2.M/M 2+ || N + /N, E ° M/M 2+ = 0.76 volt এবং E ° N/N + = - 0.4 volt. প্রদত্ত কোষটির e.m.f কত volt?

3.(i) Cd | Cd 2+ || H + , | H 2 .Pt; E ° cell = 0.398 V (ii) Cd | Cd 2+ || Ni 2+ | Ni; E ° cell = 0.148 V উদ্দীপকের Ni 2+ | Ni এর তড়িৎদ্বার বিভব কত?

4.প্রমাণ অবস্থায় নিম্নোক্ত কোষের EMF কত? Sn(s)/Sn 2+ (aq) || H + (aq)/H 2 (g) (1 atm. Pt) এখানে, E ° Sn 2+ (aq)/Sn(s) = - 0.14 V

5.নিচের কোনটি গ্যালভানিক সেল - Sn(s)/Sn 2+ (aq) || Pb 2+ (aq)/Pb(s) এর বিভব বৃদ্ধি করে।

6.Pb- স্টোরেজ ব্যাটারির e.m. f এর মান কত হলে পুনরায় চার্জিত করা হয়?

7.কোষের e.m.f নির্ণয়ের সমীকরণ কোনটি?

8.যদি E 0 Al 3+ /Al = - 1.662 V ও E 0 Zn 2+ /Zn = - 0.76 V হয়, তবে Al(s) | Al 3+ (0.15 M) || Zn 2+ (x M) | Zn, কোষটির ক্ষেত্রে x এর মান কত হলে 25 ° C তাপমাত্রায় কোষের তড়িচ্চালক বলের মান শূন্য হবে?

9.Pt, H 2 (1 atm)/HCl (1M) || AgNO 4 (1M)/Ag(s), E ° Ag/Ag + = - 0.80 V কোষটির emf হলো -

10.Ag + /Ag এবং Au 3+ /Au অর্ধকোষদ্বয়ের প্রমাণ বিজারণ বিভব + 0.80 V এবং + 1.56 V । এ দুটি অর্ধকোষ দ্বারা গঠিত কোষের বিভব কত?

11.Zn/Zn 2+ এবং Ag/Ag + তড়িৎদ্বারের জারণ বিভব যথাক্রমে + 0.76 V এবং - 0.769 V হলে, তড়িৎ কোষটির মোট বিভব কত?

12.দস্তার পাত্রে FeSO 4 দ্রবণ রাখলে সৃষ্ট কোষের কোষ বিভব হবে - [E ° Zn 2+ (aq)/Zn(s) = - 0.76 V; E ° Fe 2+ (aq)/Fe(s) = - 0.44 V]