F এর থেকে Cl এর ইলেকট্রন আসক্তি বেশি কেন?
উত্তর: গ্যসীয় অবস্থায় কোনো মৌলের একমোল পরমানু একমোল ইলেকট্রন গ্রহন করে একমোল ঋণাত্মক আয়নে পরিনত হলে যে পরিমান শক্তি নির্গত হয় তাকে ইলেকট্রন আসক্তি বলে। মৌলের আকার বৃদ্ধির সাথে সাথে ইলেকট্রন আসক্তি কমতে থাকে। এজন্য f এর তুলনায় Cl এর ইলেকট্রন আসক্তি বেশি।
HSC Chemistry 2nd Paper Chapter 2: জৈব রসায়ন CQ — Prosthuti প্রশ্নব্যাংক
HSC · Chemistry 2nd Paper · Chapter 2: জৈব রসায়ন · সৃজনশীল
F এর থেকে Cl এর ইলেকট্রন আসক্তি বেশি কেন?
উদ্দীপক
উদ্দীপকটির আলোকে নিচের প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও।
সরকারি বজ্রমোহন কলেজ, বরিশাল · 2024
উত্তর
কোনো যৌগের 1L দ্রবণে 1 মোল দ্রব দ্রবীভূত থাকলে তাকে ঐ যৌগের মোলার দ্রবণ বলে।
উত্তর
গ্যসীয় অবস্থায় কোনো মৌলের একমোল পরমানু একমোল ইলেকট্রন গ্রহন করে একমোল ঋণাত্মক আয়নে পরিনত হলে যে পরিমান শক্তি নির্গত হয় তাকে ইলেকট্রন আসক্তি বলে। মৌলের আকার বৃদ্ধির সাথে সাথে ইলেকট্রন আসক্তি কমতে থাকে। এজন্য f এর তুলনায় Cl এর ইলেকট্রন আসক্তি বেশি।
উত্তর
উদ্দীপকের বিক্রিয়াদ্বয় সম্পূর্ণ করে পাই,
অর্থ্যাৎ P যৌগটি হল বেনজিন এবং Q যৌগটির নাম নাইট্রোবেনজিন। নিম্নে P থেকে Q তৈরির কৌশল ব্যখ্যা করা হল:
ধাপ-১: গাঢ় H2SO4 এর প্রভাবে গাঢ় HNO3 থেকে ইলেকট্রোফাইল (N+ নাইট্রোনিয়াম আয়ন তৈরি এবং একই সাথে নিউক্লিওফাইল (HSO4–) বাইসালফেট আয়ন তৈরি হয়।
ধাপ ২: N+O2 আয়ন বেনজিনের p ইলেকট্রন দ্বারা আকৃষ্ট হয়ে কমপ্লেক্স গঠন করে।
ধাপ ৩: শেষ ধাপ HSO4– বেনজিনের কমপ্লেক্স থেকে একটি H+ তাপসারণ করে এবং নাইট্রোবেনজিন বা Q যৌগটি উৎপন্ন করে।
অর্থ্যাৎ P যৌগটি হল বেনজিন এবং Q যৌগটির নাম নাইট্রোবেনজিন। নিম্নে P থেকে Q তৈরির কৌশল ব্যখ্যা করা হল:
ধাপ-১: গাঢ় H2SO4 এর প্রভাবে গাঢ় HNO3 থেকে ইলেকট্রোফাইল (N+ নাইট্রোনিয়াম আয়ন তৈরি এবং একই সাথে নিউক্লিওফাইল (HSO4–) বাইসালফেট আয়ন তৈরি হয়।
ধাপ ২: N+O2 আয়ন বেনজিনের p ইলেকট্রন দ্বারা আকৃষ্ট হয়ে কমপ্লেক্স গঠন করে।
ধাপ ৩: শেষ ধাপ HSO4– বেনজিনের কমপ্লেক্স থেকে একটি H+ তাপসারণ করে এবং নাইট্রোবেনজিন বা Q যৌগটি উৎপন্ন করে।
উত্তর
দেখা যাচ্ছে –NO2 মূলক বেনজিনের বলয় বেকে ইলেকট্রন নিজের দিকে টেনে নেয় এবং বেনজিনের বলয়েকে কিছুটা নিষ্ক্রিয় করে দেয়।