ট্রানজিস্টরে ডিসি বায়াসিং অবস্থায় বেস করেন্ট খুব কম কেন?
উত্তর: ডিসি বায়াসিং এর ক্ষেত্রে, p অঞ্চল এন অঞ্চলের তুলনায় ধনাত্মক বিদ্যুতের পরিবর্তেই পাওয়া যায় বেশি। এতে ফলে, অঞ্চলের ইলেকট্রনগুলো সহজেই p অঞ্চলে সরাসরি চলে আসতে পারে। অর্থাৎ, এমিটার থেকে ইলেকট্রনগুলো বেসে সরাসরি প্রবেশ করে। এতে ফলে, অ্যামিটারে নিঃসারক প্রবাহ সৃষ্টি হয়। ইলেকট্রনগুলো P টাইপ বেসে প্রবেশ করার ফলে, সেখানের হোল এর সাথে মিশে যুক্ত হতে চায়। তবে বেস খুব পাতলা হওয়ার কারণে, সেখানে কেবল কিছু অতি ক্ষুদ্র ইলেকট্রন হোল-এর সাথে মিলিত হয়, যা ক্ষুদ্র বেস প্রবাহ সৃষ্টি করে।
HSC Physics 2nd Paper Chapter 10: অর্ধ-পরিবাহী ও ইলেকট্রনিক্স CQ — Prosthuti প্রশ্নব্যাংক
HSC · Physics 2nd Paper · Chapter 10: অর্ধ-পরিবাহী ও ইলেকট্রনিক্স · সৃজনশীল
ট্রানজিস্টরে ডিসি বায়াসিং অবস্থায় বেস করেন্ট খুব কম কেন?
উত্তর
ডিসি বায়াসিং এর ক্ষেত্রে, p অঞ্চল এন অঞ্চলের তুলনায় ধনাত্মক বিদ্যুতের পরিবর্তেই পাওয়া যায় বেশি। এতে ফলে, অঞ্চলের ইলেকট্রনগুলো সহজেই p অঞ্চলে সরাসরি চলে আসতে পারে। অর্থাৎ, এমিটার থেকে ইলেকট্রনগুলো বেসে সরাসরি প্রবেশ করে। এতে ফলে, অ্যামিটারে নিঃসারক প্রবাহ সৃষ্টি হয়। ইলেকট্রনগুলো P টাইপ বেসে প্রবেশ করার ফলে, সেখানের হোল এর সাথে মিশে যুক্ত হতে চায়। তবে বেস খুব পাতলা হওয়ার কারণে, সেখানে কেবল কিছু অতি ক্ষুদ্র ইলেকট্রন হোল-এর সাথে মিলিত হয়, যা ক্ষুদ্র বেস প্রবাহ সৃষ্টি করে।