একটি N-type সেমিকন্ডাক্টরে Hole সৃষ্টির কারণ ব্যাখ্যা কর।
উত্তর: N-type সেমিকন্ডাক্টরে অতিরিক্ত ইলেকট্রন থাকে, তাই কারেন্ট পরিবাহিত হয় মূলত ইলেকট্রনের মাধ্যমে। তবে তাপমাত্রা বাড়লে কিছু যোজনী ইলেকট্রন উত্তেজিত হয়ে পরিবহন ব্যান্ডে চলে যায়, ফলে তাদের পূর্বের স্থানে হোল তৈরি হয়। যদিও এই হোল সংখ্যা খুবই কম, তবুও তা থাকে এবং এগুলোকে বলে গৌণ বাহক।
HSC Physics 2nd Paper Chapter 10: অর্ধ-পরিবাহী ও ইলেকট্রনিক্স CQ — Prosthuti প্রশ্নব্যাংক
HSC · Physics 2nd Paper · Chapter 10: অর্ধ-পরিবাহী ও ইলেকট্রনিক্স · সৃজনশীল
একটি N-type সেমিকন্ডাক্টরে Hole সৃষ্টির কারণ ব্যাখ্যা কর।
উদ্দীপক
Jessore · 2025
উত্তর
যে সকল পদার্থের তড়িৎ পরিবহন ক্ষমতা অন্তরকের চেয়ে বেশি কিন্তু পরিবাহক হতে কম এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধি করলে বা ডোপিং করলে যেসব পদার্থের তড়িৎ পরিবহন ক্ষমতা বৃদ্ধি পায় বা রোধ কমে যায়, তাদেরকে সেমিকন্ডাক্টর বলে।
উত্তর
N-type সেমিকন্ডাক্টরে অতিরিক্ত ইলেকট্রন থাকে, তাই কারেন্ট পরিবাহিত হয় মূলত ইলেকট্রনের মাধ্যমে। তবে তাপমাত্রা বাড়লে কিছু যোজনী ইলেকট্রন উত্তেজিত হয়ে পরিবহন ব্যান্ডে চলে যায়, ফলে তাদের পূর্বের স্থানে হোল তৈরি হয়। যদিও এই হোল সংখ্যা খুবই কম, তবুও তা থাকে এবং এগুলোকে বলে গৌণ বাহক।
উত্তর
উদ্দীপক হতে,
পীঠ প্রবাহ,
সংগ্রাহক প্রবাহ,
∴ এমিটার প্রবাহ,
অতএব, উদ্দীপকের এমিটার কারেন্ট 10.2 mA.
উত্তর
উদ্দীপক হতে, প্রবাহ লাভ,
বহিঃরোধ,
অন্তঃর্গামী রোধ হলে,
ভোল্টেজ গেইন,
অর্থাৎ, হলে, ভোল্টেজ গেইন 1 তথা 100% হবে।
অতএব, উদ্দীপকের বর্তনী থেকে 100% ভোল্টেজ গেইন পাওয়া সম্ভব যদি অন্তঃর্গামী রোধ 2450Ω হয়।