হারানো ভোল্ট বা নষ্ট ভোল্ট ও প্রাপ্ত ভোল্ট ব্যাখ্যা করো ।
উত্তর: তড়িৎ বর্তনীর মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহিত হওয়ার সময় বাহির বর্তনী ও অন্তরবর্তনী রোধগুলোকে অতিক্রম করার জন্য প্রতিটি তড়িতাধানকে কিছু পরিমাণ কার্য করতে হয়। অভ্যন্তরীণ রোধের কারণে তড়িৎ প্রবাহ চলার সময় কিছু পরিমাণ শক্তি কোষের মধ্যে হারিয়ে যায়। একে নষ্ট বা হারানো ভোল্ট বলে।
HSC Physics 2nd Paper Chapter 10: অর্ধ-পরিবাহী ও ইলেকট্রনিক্স CQ — Prosthuti প্রশ্নব্যাংক
HSC · Physics 2nd Paper · Chapter 10: অর্ধ-পরিবাহী ও ইলেকট্রনিক্স · সৃজনশীল
হারানো ভোল্ট বা নষ্ট ভোল্ট ও প্রাপ্ত ভোল্ট ব্যাখ্যা করো ।
উদ্দীপক
আইডিয়াল স্কুল অ্যান্ড কলেজ, মতিঝিল · 2024
উত্তর
তড়িৎ পরিবাহীসম্পন্ন কোনো তড়িৎ পরিবাহকের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য প্রতি ভোল্ট বৃদ্ধির জন্য তার মধ্যে দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহের মান ১ অ্যাম্পিয়ার বৃদ্ধি পেলে তাকে ১ সিমেন্স বলে।
উত্তর
তড়িৎ বর্তনীর মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহিত হওয়ার সময় বাহির বর্তনী ও অন্তরবর্তনী রোধগুলোকে অতিক্রম করার জন্য প্রতিটি তড়িতাধানকে কিছু পরিমাণ কার্য করতে হয়। অভ্যন্তরীণ রোধের কারণে তড়িৎ প্রবাহ চলার সময় কিছু পরিমাণ শক্তি কোষের মধ্যে হারিয়ে যায়। একে নষ্ট বা হারানো ভোল্ট বলে।
উত্তর
উদ্দীপকে চিত্র-১ সম্মুখবর্তী ঝোঁক ও বিপরীত ঝোঁকের জন্য ভোল্টেজ কারেন্ট লেখচিত্র দেখানো হয়েছে।
চিত্র-১ এ OAB রেখা দ্বারা সম্মুখবর্তী ঝোঁক এবং OCD রেখা দ্বারা বিপরীত ঝোঁক বুঝানো হয়েছে।
OAB রেখার বৈশিষ্ট্যঃ
(i) সম্মুখবর্তী ভোল্টেজ VF বৃদ্ধির সাথে সাথে কারেন্ট বৃদ্ধি পায় না। জার্মেনিয়াম ডায়োডের জন্য 0.3v ও সিলিকন ডায়োডের জন্য 0.7v পর্যন্ত সম্মুখ কারেন্ট IF শূণ্য থাকে। 0.3v ও 0.7v হলে যথাক্রমে Ge ও Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ V0। বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে চার্জ বাহকের যে ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় তাকে অপারেটিং ভোল্টেজ বলে। চিত্রে A হলো অপারেটিং ভোল্টেজ।
(ii) VF > V0 হলে IF দ্রুত বৃদ্ধি পায়।
(iii) A থেকে B এর মধ্যবর্তী অঞ্চলে IF এর মান সূচকীয় ভাবে বৃদ্ধি পায় বলে একে সূচকীয় অঞ্চল বলে।
OCD রেখার বৈশিষ্ট্যঃ
(i) বিপরীত ঝোঁক VR বৃদ্ধির সাথে IR বৃদ্ধি পেয়ে I0 তে পৌঁছায়। এই I0 কে 'ক্ষরণ কারেন্ট' বলে যা p এবং n অঞ্চলে 'স্বল্পসংখ্যক বাহকের' দ্বারা তৈরি হয়। এর মান সাধারণত কয়েক [\end{if}]--> \end{if}]-->A
(ii) বিপরীত বায়াস ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে একটি ক্রান্তি মানে পৌঁছালে বিপরীত কারেন্ট অনেকগুণ বেড়ে যায়। এই সময় p-n জংশনের রোধ ভেঙে যায়। তাই একে 'ব্রেকডাউন ভোল্টেজ' বলা হয়। চিত্রে C বিন্দু তা নির্দেশ করে।
উত্তর
উদ্দীপকের চিত্র-২ এর লজিক গেইটের সাহায্যে বুলিয়ান অপারেশন সম্ভব।
উপযুক্ত লজিক গেইটটি হলো NAND গেইট। AND গেটের আউটপুটে কে NOT গেটের ইনপুট এর সাথে যুক্ত করে NAND গেইট তৈরি করা হয়।
(i) NAND গেইট থেকে OR গেইট তৈরিকরণঃ
ট্রুথ টেবিল
A
B
\end{if}]--> \end{if}]-->
\end{if}]--> \end{if}]-->
Y
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
0
1
(ii) NAND থেকে AND গেইট তৈরিকরণঃ
A
B
A
B = A
Y
0
0
1
1
1
0
ট্রুথ টেবিল
A
B
\end{if}]--> \end{if}]-->
\end{if}]--> \end{if}]-->
Y
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
0
1
(ii) NAND থেকে AND গেইট তৈরিকরণঃ
A
B
গেইট থেকে NOT গেইট তৈরিকরণঃ
A
B = A
Y
0
0
1
1
1
0